金融界2025年6月21日音信，国度学问产权局信息领路，JCET星科金一又韩国有限公司苦求一项名为“在衬底上酿成保护层以在封装时辰幸免损坏的半导体器件和程序”的专利，公开号CN120184099A，苦求日历为2024年09月。

专利纲领领路，一种半导体器件具有衬底和在衬底的锯说念上酿成的保护层。保护层不错在锯说念的宽度上延迟。保护层不错延迟小于锯说念的宽度，大致延迟大于锯说念的宽度。电部件蛊惑在衬底的名义上。不竭器蛊惑在衬底的名义上。使器用有下壳体和上壳体的槽模来在电部件上千里积密封剂。在密封时辰，密封剂不应移动到不竭器。向槽模的上壳体施加高压，以珍重到不竭器的密封剂移动。保护层在密封时辰保护衬底免受高压。在密封剂上酿成屏蔽层。

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